IAUC100N04S6N028ATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC100N04S6N028ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7L050HATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ AktifInfineon
IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUC100N04S6N028ATMA1 | IAUCN04S7L050HATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 40V | OptiMOS™ 7 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 400 A | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 2.8 mΩ (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 1.5 V to 2.5 V | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: Q_g in nC] | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C | 62 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C | — |
| Paket | PG-TDSON-8 (TDSON-8) | PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Configuration | — | Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C | — | 65 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.04 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 40 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (family-level, automotive grade) |