IAUC120N04S6N009ATMA1 vs IAUC120N06S5N011ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC120N04S6N009ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N06S5N011ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUC120N06S5N011ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 40V —
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 120 A —
Pulsed Dræn Akımı [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 0.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Total Gate Charge Q_g typ [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Thermal Resistance R_thJC max 1.0 K/W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TDSON-8-53 (SSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per Infineon product page) —
Product Family — OptiMOS-5
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) — 120 A (Tc=25°C, Vgs=10V)
Pulsed Drain Current (Idm) — 310 A (Tj)
On-Resistance Rds(on) max — 1.1 mΩ at Vgs=10 V
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total value]
Power Dissipation (Pd) — 188 W (Tc=25°C)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +175°C (Tj)
RoHS Compliance — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin