IAUC50N08S5N102ATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC50N08S5N102ATMA1 tarafından Infineon ve IPC50N04S5L5R5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC50N08S5N102ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC50N08S5N102ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 50 A —
On-Resistance (RDS(on)) 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 21 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 1394 pF @ 40 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 60 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C -55 °C to +175 °C
Paket / Kas PG-TDSON-8-33 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Mode — Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
Paket — PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin