IAUC60N04S6N031HATMA1 vs BSZ024N04LS6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC60N04S6N031HATMA1 tarafından Infineon ve BSZ024N04LS6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ Aktif
Infineon
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 - 40V 24A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSZ024N04LS6ATMA1 - 40V 24A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSZ024N04LS6ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC60N04S6N031HATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) —
Process Technology OptiMOS 6 40V —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 60 A —
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 75 W —
R_DS(on) at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (Tj) —
Paket PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount, top-side drain pad
Pin Sayısı 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS 6 (shielded-gate trench)
Continuous Drain Current (I_D, Ta) — 24 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 40 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 130 A
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 2.4 mΩ
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 2.3 V (typical)
Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V — 25 nC
Input Capacitance (C_iss) — 1.8 nF
Output Capacitance (C_oss) — 19 pF
Power Dissipation (P_D, Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (P_D, Tc) — 75 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +175°C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin