IAUCN04S7L028ATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7L028ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7L050HATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN04S7L028ATMA1 | IAUCN04S7L050HATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | OptiMOS™ 7 |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 100 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 2.80 mOhm at VGS=10 V | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported) | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 1.8 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) | 24 nC at VGS=10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.578 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 788 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 36 pF | — |
| Güç Tüketimi (Ptot) | 58 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +175 C | -55 °C to +175 °C |
| Paket | PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP) | PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 (family-level, automotive grade) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Configuration | — | Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) |
| Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C | — | 65 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.04 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 40 W |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Technology | — | Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V |