IAUCN04S7L028ATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUCN04S7L028ATMA1 bằng Infineon và IAUCN04S7L050HATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUCN04S7L028ATMA1 | IAUCN04S7L050HATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | OptiMOS™ 7 |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 100 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 2.80 mOhm at VGS=10 V | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported) | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 1.8 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) | 24 nC at VGS=10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.578 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 788 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 36 pF | — |
| Tiêu hao điện năng (Ptot) | 58 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 C to +175 C | -55 °C to +175 °C |
| Hộp | PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP) | PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 (family-level, automotive grade) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Configuration | — | Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) |
| Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C | — | 65 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.04 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 40 W |
| Cấp MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Technology | — | Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V |