IAUCN04S7N006TATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N006TATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N015GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN04S7N006TATMA1 | IAUCN04S7N015GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_j) | 425 A | — |
| Power Dissipation (P_D, T_C) | 205 W | — |
| R_DS(on) (typ, V_GS=10V) | 0.63 mΩ | — |
| Technology | OptiMOS 7 (shielded-gate trench) | — |
| Paket | PG-LHDSO-10-3 (10-LSOP, 5.30 mm width, exposed pad) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount (IMS-compatible source-down) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: Q_G at V_GS=10V] | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Automotive Grade | Yes (Infineon automotive MOSFET line) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 165 A (Tc) |
| Power Dissipation (P_D) | — | 96 W (Tc) |
| R_DS(on) max | — | 1.53 mΩ at V_GS=10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max] |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +175C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |