IAUCN04S7N006TATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7N006TATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7N015GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUCN04S7N006TATMA1 IAUCN04S7N006TATMA1 - 40V 425A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006TATMA1 - 40V 425A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006TATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN04S7N006TATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_j) 425 A —
Power Dissipation (P_D, T_C) 205 W —
R_DS(on) (typ, V_GS=10V) 0.63 mΩ —
Technology OptiMOS 7 (shielded-gate trench) —
پیکیج PG-LHDSO-10-3 (10-LSOP, 5.30 mm width, exposed pad) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (IMS-compatible source-down)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: Q_G at V_GS=10V] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Automotive Grade Yes (Infineon automotive MOSFET line) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (I_D) — 165 A (Tc)
Power Dissipation (P_D) — 96 W (Tc)
R_DS(on) max — 1.53 mΩ at V_GS=10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں