IAUCN04S7N027GATMA1 vs IAUCN04S7N006TATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N027GATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N006TATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN04S7N027GATMA1 | IAUCN04S7N006TATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds max) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 117 A | — |
| On-Resistance (Rds(on) max) | 2.67 mOhm | — |
| Power Dissipation (Pd) | 70 W (Tc) | — |
| Paket / Kas | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| Gate-Source Voltage Max (Vgs) | [DATA_NEEDED: Vgs max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Substrate Compatibility | IMS substrates and legacy FR-4 | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_j) | — | 425 A |
| Power Dissipation (P_D, T_C) | — | 205 W |
| R_DS(on) (typ, V_GS=10V) | — | 0.63 mΩ |
| Technology | — | OptiMOS 7 (shielded-gate trench) |
| Paket | — | PG-LHDSO-10-3 (10-LSOP, 5.30 mm width, exposed pad) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: Q_G at V_GS=10V] |
| Automotive Grade | — | Yes (Infineon automotive MOSFET line) |
| Lead-Free | — | Yes |