IAUCN08S7N034ATMA1 vs IAUC50N08S5L096ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN08S7N034ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC50N08S5L096ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN08S7N034ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 7 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 120 A —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V 3.4 mΩ —
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) 3.2 V (typ) —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V —
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) 1.27 nF —
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) 3.115 nF —
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) 23 pF —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 118 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +175°C —
Paket PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL 1 (unlimited floor life) [DATA_NEEDED: MSL level]
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS Durumu Compliant Compliant
Product Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) — 50 A (Tc)
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A
On-Resistance (RDS(on)) — 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Power Dissipation (PD) — 60 W (Tc)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +175°C
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin