IAUZ18N10S5L420ATMA1 vs IAUZN10S7L289ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZ18N10S5L420ATMA1 tarafından Infineon ve IAUZN10S7L289ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUZ18N10S5L420ATMA1 | IAUZN10S7L289ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 100V | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V to 2.7 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) typ. | 8.5 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 30 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 °C to +175 °C | — |
| Paket | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm | PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench | Trench MOSFET (N-Channel) |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Product Family | — | OptiMOS-7 |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 27 A |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25°C) | — | 45 W |
| On-State Resistance (RDS(on), max, VGS=10V) | — | 28.9 mΩ |
| Automotive Grade | — | AEC-Q100 qualified (Automotive MOSFET) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55°C to +175°C (Tj) |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| RoHS Compliance | — | Yes |