IAUZ18N10S5L420ATMA1 vs IAUZN10S7L289ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IAUZ18N10S5L420ATMA1 توسط Infineon و IAUZN10S7L289ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IAUZ18N10S5L420ATMA1 | IAUZN10S7L289ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 100V | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V to 2.7 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) typ. | 8.5 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 30 W | — |
| دمای اتصال کاری | -55 °C to +175 °C | — |
| بسته‌بندی | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm | PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench | Trench MOSFET (N-Channel) |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Product Family | — | OptiMOS-7 |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 27 A |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25°C) | — | 45 W |
| On-State Resistance (RDS(on), max, VGS=10V) | — | 28.9 mΩ |
| Automotive Grade | — | AEC-Q100 qualified (Automotive MOSFET) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| محدوده دمای کاری | — | -55°C to +175°C (Tj) |
| تعداد پایه | — | 8 |
| RoHS Compliance | — | Yes |