IAUZ30N06S5L140ATMA1 vs IAUC120N06S5L032ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZ30N06S5L140ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N06S5L032ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUZ30N06S5L140ATMA1 | IAUC120N06S5L032ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 30 A (Tj) | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 33 W | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10 V | 14 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.2 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 12.2 nC @ VGS=10 V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 888 pF @ VDS=30 V | — |
| Paket | PG-TSDSON-8-32 (S3O8, 3x3 mm) | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55°C to +175°C | — |
| Technology Family | OptiMOS 5 | — |
| Automotive Grade | AEC-Q101 qualified | — |
| Gate-Source Voltage Max | ±20 V | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (RoHS compliant) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 (60 V) |
| Transistor Türü | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_j) | — | 120 A |
| R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) | — | 3.2 mOhm |
| Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) | — | 94 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +175 C (T_j) |
| Technology | — | OptiMOS 5 Trench |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] |
| Total Gate Charge Q_G | — | [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V] |