IAUZ40N06S5L050ATMA1 vs IAUZ40N08S5N100ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZ40N06S5L050ATMA1 tarafından Infineon ve IAUZ40N08S5N100ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1 - 60V 90A 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1 ✓ AktifInfineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUZ40N06S5L050ATMA1 | IAUZ40N08S5N100ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] | — |
| Drain Current at T<sub>j</sub> | 90 A | — |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V | 5 mΩ | — |
| R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A | 6.4 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | 2.2 V at 29 µA | — |
| Total Gate Charge Q<sub>G</sub> | 28.2 nC | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 71 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 °C to +175 °C | — |
| Paket | PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) | PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (super-junction N-channel) | OptiMOS-5 N-Channel MOSFET |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 68 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge Qg typ | — | 24.2 nC @ VGS=10 V |
| Input Capacitance Ciss | — | 1591 pF @ VDS=40 V |
| Gate-Source Voltage VGS max | — | ±20 V |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Channel Type | — | N-Channel |