IPD090N03LGATMA1 vs IPT007N06NATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD090N03LGATMA1 tarafından Infineon ve IPT007N06NATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD090N03LGATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD090N03LGATMA1 ✓ Aktif
Infineon
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD090N03LGATMA1 IPT007N06NATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 40 A —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at 100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed Id] —
Maximum Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 42 W —
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=10V, Id=30A 9 mOhm (typical) —
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) -55 C to +175 C (TJ)
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-HSOF-8-1 (TOLL)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (unlimited) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Technology Family OptiMOS 30V —
Configuration Single Single N-channel
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 300 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 0.75 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 375 W
Gate Charge (QG) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy]
Thermal Resistance (RthJC max) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Lead-Free — Yes
Klorürsüz — Yes
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin