IPD30N10S3L34ATMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD30N10S3L34ATMA1 tarafından Infineon ve IPD60R280P7SAUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD30N10S3L34ATMA1 IPD60R280P7SAUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
Transistor Türü N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 57 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 31 mΩ @ VGS=10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) —
Total Gate Charge (Qg typ) 23 nC —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +175°C —
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
MSL Seviyesi 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) 1
RoHS / REACH Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated 100% Avalanche tested —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 12 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 280 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V max @ ID = 190 µA
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) — 53 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -40 °C to +150 °C
Technology — CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel
Series — CoolMOS P7 (7th generation, 600 V)
RoHS Durumu — Compliant
Integrated ESD Protection — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin