IPD50N10S3L16ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD50N10S3L16ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N06S5L015ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD50N10S3L16ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD50N10S3L16ATMA1 —
Series OptiMOS-T —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 50 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 200 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 15 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 2.5 V (typ) —
Power Dissipation (P_D, T_C=25C) 100 W —
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C -55C to +175C (Tj)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS Durumu Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 167 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL level]
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin