IPD50N10S3L16ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD50N10S3L16ATMA1 מאת Infineon ו IAUC120N06S5L015ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1 - 100V N-Ch 50A OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1 ✓ פעילInfineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPD50N10S3L16ATMA1 | IAUC120N06S5L015ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD50N10S3L16ATMA1 | — |
| Series | OptiMOS-T | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 200 A | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 15 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 2.5 V (typ) | — |
| Power Dissipation (P_D, T_C=25C) | 100 W | — |
| מארז | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount (exposed pad) |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | -55C to +175C (Tj) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Technology | — | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 235 A |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | — | 1.5 mΩ |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | 88 nC |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 167 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | — | VGS = 10 V, ID = 50 A |
| Typical Application | — | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives |