IPD60R380C6ATMA1 vs BSC050N03LSGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R380C6ATMA1 tarafından Infineon ve BSC050N03LSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60R380C6ATMA1 BSC050N03LSGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 10.6 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 380 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 83 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -55C to +150C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Technology CoolMOS C6 Superjunction OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET)
FET Type N-Channel —
Paket PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1
RoHS Durumu Compliant Compliant
Drain-Tab Connection Exposed pad (electrically connected to drain) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC050N03LSGATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 80 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 5 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 50 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C
Channel Type — N-Channel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin