IPG20N10S4L22AATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N10S4L22AATMA1 tarafından Infineon ve BSC076N04NDATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPG20N10S4L22AATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | Dual N-Channel | 2x N-Channel MOSFET array |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 20 A | — |
| On-State Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) | 22 mΩ (typical) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 60 W | — |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) | ±20 V | — |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Paket | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | — |
| Lead Configuration | Wettable Flank | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Technology | OptiMOS T2 | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| İşletim Sıcaklığı | -55°C to +175°C | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Channel Count | 2 (dual independent) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C |
| Paket / Kas | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |