IPG20N10S4L22AATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N10S4L22AATMA1 tarafından Infineon ve IPB35N10S3L26ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L22AATMA1 - 100V Dual N-ch 22mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N10S4L22AATMA1 - 100V Dual N-ch 22mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N10S4L22AATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPG20N10S4L22AATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type Dual N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 20 A —
On-State Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) 22 mΩ (typical) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 60 W —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Paket PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
Lead Configuration Wettable Flank —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Technology OptiMOS T2 —
İşletim Sıcaklığı -55°C to +175°C —
RoHS Durumu Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Channel Count 2 (dual independent) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T
Channel Type — N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Power Dissipation (PD) at TC — 71 W
Package Type — PG-TO263-3 (D2PAK-2)
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Mode — Enhancement
RDS(on) (typical per Infineon product page) — 26.3 mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs — 80 nC
Maximum Drain-Source Resistance Rds — 1.7 mΩ (per RS Components listing)
Minimum Operating Temperature — -55 C
Maximum Power Dissipation Pd — 81 W (per RS Components listing)
AEC-Q101 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin