IPN70R1K4P7SATMA1 vs IPN80R4K5P7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPN70R1K4P7SATMA1 tarafından Infineon ve IPN80R4K5P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPN70R1K4P7SATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series CoolMOS P7 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 1.4 ohm class (per '1K4' suffix) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Power Dissipation (PD) at TC 6.2 W —
Technology Superjunction (CoolMOS P7) CoolMOS Superjunction (SJ)
Paket PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (TJ) —
Configuration Single with built-in diode —
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
DPAK Footprint Compatible Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Product Family — CoolMOS P7
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 800 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 1.5 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 6 W
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 4.5 ohm max
Operating Mode — Enhancement-mode
Grade — Industrial
Application — Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers
Reel / Tape Packaging — Tape & Reel (T/R)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin