IPZ40N04S53R1ATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPZ40N04S53R1ATMA1 tarafından Infineon ve BSC034N06NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1 - 40V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IPZ40N04S53R1ATMA1 - 40V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IPZ40N04S53R1ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPZ40N04S53R1ATMA1 BSC034N06NSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25 C 40 A —
Power Dissipation (P_D) at Tc=25 C 71 W —
R_DS(on) max at V_GS=10 V, I_D=20 A 3.1 mOhm —
Drive Voltage (Max R_DS on, Min R_DS on) 7 V, 10 V —
Maximum V_GS +/-20 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C -55C to +150C
Paket PG-TSDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (260 C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL level]
Qualification AEC-Q101 automotive —
Avalanche Tested 100 % —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Series OptiMOS 5 (IPZ family) —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 74 W
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin