IQE013N04LM6ATMA1 vs IQE065N10NM5CGSCATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE013N04LM6ATMA1 tarafından Infineon ve IQE065N10NM5CGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IQE013N04LM6ATMA1 | IQE065N10NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Technology | OptiMOS N-channel trench MOSFET | OptiMOS 5 trench-gate |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 205 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ | 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Paket | PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C | -55 C to +150 C |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Source-Down Topology | Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C | — | 85 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 13 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 6.5 mOhm |
| Power Dissipation at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC | — | 100 W |
| Lead-Free | — | Yes |