IQE018N06NM6CGATMA1 vs IQE022N06LM5CGSCATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE018N06NM6CGATMA1 tarafından Infineon ve IQE022N06LM5CGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IQE018N06NM6CGATMA1 | IQE022N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 178 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | 25 A | — |
| R_DS(on) max (V_GS=10 V) | 1.8 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.3 V (logic-level compatible) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 125 W | — |
| Paket | PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) | PG-WHTFN-9 (5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (junction) | -55C to +150C |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 151 A |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 24 A |
| Maximum Power Dissipation (TC) | — | 100 W |
| Maximum Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| RDS(on) Maximum at VGS=10V | — | 2.2 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.3 V (typ) |
| Technology Family | — | OptiMOS 5 |
| Pin Sayısı | — | 9 (PG-WHTFN-9) |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| RoHS Durumu | — | Compliant |