IQE018N06NM6CGATMA1 vs IQE022N06LM5CGSCATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IQE018N06NM6CGATMA1 bằng Infineon và IQE022N06LM5CGSCATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IQE018N06NM6CGATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IQE022N06LM5CGSCATMA1 - 60V 151A OptiMOS 5 N-FET | Infineon
IQE022N06LM5CGSCATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IQE018N06NM6CGATMA1 | IQE022N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 178 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | 25 A | — |
| R_DS(on) max (V_GS=10 V) | 1.8 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.3 V (logic-level compatible) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 125 W | — |
| Hộp | PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) | PG-WHTFN-9 (5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C (junction) | -55C to +150C |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 151 A |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 24 A |
| Maximum Power Dissipation (TC) | — | 100 W |
| Maximum Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| RDS(on) Maximum at VGS=10V | — | 2.2 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.3 V (typ) |
| Technology Family | — | OptiMOS 5 |
| Số chân | — | 9 (PG-WHTFN-9) |
| Cấp MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |