IQE036N08NM6CGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE036N08NM6CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQE050N08NM5CGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQE036N08NM6CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 16.7 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 118 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 125 W —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Paket / Kas PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 6) OptiMOS 5 (Source-Down)
Configuration Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) —
Packing Tape and Reel (suffix ATMA1) —
Voltage Rating 60 V to 100 V category (80 V nominal) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Continuous Drain Current (Ta) — 16 A
Continuous Drain Current (Tc) — 101 A
On-Resistance RDS(on) Max — 5.0 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 100 W
Paket — PG-TTFN-9-1 (Surface Mount)
Gate Threshold Vgs(th) Typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
İşletim Sıcaklığı — -55°C to +175°C (TJ max)
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical]
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin