IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs IQEH84NE2LM7UCGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQEH54NE2LM7UCGATMA1 tarafından Infineon ve IQEH84NE2LM7UCGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQEH84NE2LM7UCGATMA1 IQEH84NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-FET, 275A | Infineon

IQEH84NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-FET, 275A | Infineon

IQEH84NE2LM7UCGATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQEH54NE2LM7UCGATMA1 IQEH84NE2LM7UCGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 52 A 42 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 406 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 150 W —
Paket PG-TTFN-9-3 PG-TTFN-9-3 (surface mount, source-down)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (typical MOSFET range) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 7 (Trench MOSFET)
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 275 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 107 W
RDS(on) @ VGS=10 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V]
RDS(on) @ VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V]
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Pin Sayısı — [DATA_NEEDED: pin count from datasheet pinout]
Lead-Free — Yes
Switching Application — Hard- and soft-switching

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin