IQEH68NE2LM7UCGATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQEH68NE2LM7UCGATMA1 tarafından Infineon ve IQE220N15NM5CGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ AktifInfineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IQEH68NE2LM7UCGATMA1 | IQE220N15NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | OptiMOS 5 |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | 47 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc | 338 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc | 130 W | — |
| Gate Threshold Voltage Type | Logic-level (per OptiMOS 7 family) | — |
| On-Resistance Family | RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) | -55C to +150C (junction) |
| Paket | PG-TTFN-9-3 (surface mount) | PG-WHTFN-9 (Source-Down) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| RoHS Durumu | Compliant (per distributor listing) | Compliant |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | OptiMOS 5, Source-Down |
| Packaging | Tape & Reel (per ATMA1 suffix) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | — | 7 A |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | — | 44 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 100 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 22 milliohm (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.6 V |