IRFR5305TRPBF vs IPD50P04P4L11ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR5305TRPBF tarafından Infineon ve IPD50P04P4L11ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFR5305TRPBF | IPD50P04P4L11ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | 65 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -2 V to -4 V | — |
| Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 110 W | — |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | 270 mJ | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | — |
| Paket | TO-252AA (DPAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | — |
| MSL Seviyesi | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS Durumu | Compliant (Pb-free PBF suffix) | — |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| Transistor Türü | — | P-Channel MOSFET, enhancement mode |
| Drain-Source Voltage VDS | — | -40 V |
| Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) | — | -50 A |
| On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) | — | 10.6 mΩ typical |
| Gate-Source Voltage VGS (max) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | -1.0 V to -2.5 V typical |
| Typical Gate Charge Qg | — | 45 nC |
| Power Dissipation PD (TC = 25 °C) | — | 58 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |
| Pin Sayısı | — | 3 (Drain / Tab / Source / Gate) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Compliance | — | Compliant |