IRFZ48NSTRLPBF vs IRFR3806TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFZ48NSTRLPBF tarafından Infineon ve IRFR3806TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFZ48NSTRLPBF IRFR3806TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 22 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket D2PAK (TO-263) Surface Mount —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
RoHS Durumu Compliant —
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 43 A
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
Paket / Kas — TO-252AA (DPAK)
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Number of Units in IC — 1
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Avalanche Rated — Yes (HEXFET family)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin