IRFZ48NSTRLPBF vs IRFR3806TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFZ48NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFR3806TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFZ48NSTRLPBF IRFR3806TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 22 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج D2PAK (TO-263) Surface Mount —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 43 A
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
پیکیج / کیس — TO-252AA (DPAK)
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Number of Units in IC — 1
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Avalanche Rated — Yes (HEXFET family)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں