IRLML6246TRPBF vs BSS138NH6327XTSA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML6246TRPBF tarafından Infineon ve BSS138NH6327XTSA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLML6246TRPBF BSS138NH6327XTSA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLML6246TRPBF —
Technology IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 4.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 46 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.1 V (logic-level) —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Power Dissipation (Ta=25C) 1.3 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Paket SOT-23 (Micro3) PG-SOT-23 (3-pin)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliance Yes (Pb-free) Compliant
Klorürsüz Yes Yes (per IEC 61249-2-21)
MSL Seviyesi MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Continuous Drain Current (Ta) — 230 mA
Power Dissipation (Ta) — 360 mW
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Lead Plating — Pb-free
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]
Packaging — Tape and Reel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin