ISC009N06LM5ATMA1 vs ISC0805NLSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC009N06LM5ATMA1 tarafından Infineon ve ISC0805NLSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC009N06LM5ATMA1 ISC0805NLSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Technology OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 41 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 348 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 0.9 mOhm 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V]
Power Dissipation at Ta (PD) 3 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 214 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C -55 °C to +150 °C
Paket PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS™ 5
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 71 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 74 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.3 V
Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V — 16 nC
Input Capacitance Ciss — 2.2 nF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 23 pF
Output Capacitance Coss — 360 pF

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin