ISC011N03L5SATMA1 vs IAUZ40N06S5L050ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC011N03L5SATMA1 tarafından Infineon ve IAUZ40N06S5L050ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC011N03L5SATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C 37 A —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 100 A —
Power Dissipation (PD) @ Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25C 96 W —
Paket PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55 C to +175 C (TJ) —
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 5 (super-junction N-channel)
Gate Drive Logic-level compatible —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 60 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C]
Drain Current at T<sub>j</sub> — 90 A
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V — 5 mΩ
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A — 6.4 mΩ
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — 2.2 V at 29 µA
Total Gate Charge Q<sub>G</sub> — 28.2 nC
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 71 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin