ISC0703NLSATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC0703NLSATMA1 tarafından Infineon ve ISC046N13NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC0703NLSATMA1 | ISC046N13NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 135 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 57 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 44 W | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS family) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Paket | PG-TDSON-8 (5x6 mm) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction) | -55 C to +175 C |
| Standard Package Quantity | 5,000 (reel) | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS rating] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 6 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 142 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 211 W |
| Paket / Kas | — | PG-TDSON-8 |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (typical) |
| Packaging | — | Tape & Reel |