ISC0703NLSATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC0703NLSATMA1 bằng Infineon và ISC046N13NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC0703NLSATMA1 | ISC046N13NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 135 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 57 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 44 W | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS family) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Hộp | PG-TDSON-8 (5x6 mm) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (junction) | -55 C to +175 C |
| Standard Package Quantity | 5,000 (reel) | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS rating] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 6 |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 142 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 211 W |
| Hộp / Vỏ | — | PG-TDSON-8 |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (typical) |
| Packaging | — | Tape & Reel |