ISZ025N06NM6ATMA1 vs IQE036N08NM6CGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ025N06NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IQE036N08NM6CGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQE036N08NM6CGATMA1 IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISZ025N06NM6ATMA1 IQE036N08NM6CGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60 V OptiMOS 6
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 137 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 22 A —
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.3 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Paket PG-TSDSON-8-34 (5x6 mm) PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C (junction, Tj)
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology Trench MOSFET Trench MOSFET, OptiMOS 6
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 80 V
Gate-Source Voltage (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 118 A
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 16.7 A
Rds(on) max at Vgs=10V — 3.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 3.5 V (max)
Power Dissipation at Tc — 125 W
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Configuration — Single N-channel, Source-Down

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin