ISZ028N03LF2SATMA1 vs ISZ033N03LF2SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ028N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISZ033N03LF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
ISZ028N03LF2SATMA1 - 30V 128A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ028N03LF2SATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | ISZ028N03LF2SATMA1 | ISZ033N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 128 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 22 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V | 2.35 V max @ 30 uA |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 2.8 mΩ | — |
| Power Dissipation (Tc) | 83 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Paket | PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) | PG-TSDSON-8 FL (8-pin) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (junction, typical) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (logic level at 4.5 V) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 20 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 109 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 71 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C |