ISZ072N06NM6ATMA1 vs ISZ025N06NM6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ072N06NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISZ025N06NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
ISZ025N06NM6ATMA1 - 60V 137A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISZ025N06NM6ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | ISZ072N06NM6ATMA1 | ISZ025N06NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | OptiMOS 6 60 V |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 57 A | 137 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 12.7 A | 22 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typ) | — |
| Güç Tüketimi (TC=25°C) | 50 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Paket | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) | PG-TSDSON-8-34 (5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C ( Tj max 175C ) | -55 °C to +175 °C |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | Trench MOSFET |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] |
| Maximum RDS(on) at VGS=10V | — | 2.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | 3.3 V |
| Power Dissipation (Tc) | — | 100 W |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | ±20 V max |