K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G085WB-BCTD Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WB-BCRC tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WB-BCTD tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCTD
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $8,53
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organizasyon 1G x 8 1G x 8
Veri Hızı 2400 Mbps 2666 Mbps
Besleme Gerilimi 1.2 V 1.2 V
İşletim Sıcaklığı 0°C to 85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket 78-ball FBGA FBGA-78 (78-ball TFBGA)
Number of Terminals 78 —
Refresh Cycles 8192 —
Access Time 0.175 ns —
Technology CMOS —
Burst Length 8 and 4 BL8
On-Die Termination Yes —
Auto-Refresh Yes —
Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant —
Die Revision — B-die
Montaj Türü — Surface Mount
Bank Structure — 16 banks, 4 bank groups
Termination — On-Die Termination (ODT), dynamic ODT
Özellikler — ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset
Speed Bin — -BCTD (CL-tRCD-tRP bin)
Terminations — 78
JEDEC-30 Package Code — R-PBGA-B78
RoHS Durumu — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin