K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G085WC-BCRC Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WB-BCRC tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WC-BCRC tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | DRAM |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Arayüz | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Veri Hızı | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| Paket | 96-ball FBGA (PBGA96) | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -40C to +95C | 0C to +95C |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| Organizasyon | — | 1G x 8 |
| Besleme Gerilimi | — | 1.2 V |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Refresh | — | Auto/Self refresh |