K4B4G1646D-BCK00 vs K4B4G1646D-BFMA Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BCK00 tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646D-BFMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BCK00 ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BFMA K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BFMA ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4B4G1646D-BCK00 K4B4G1646D-BFMA
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Density 4 Gb 4Gb
Organizasyon 256M x 16 256M x 16
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3 SDRAM
Speed Grade DDR3-1600 (800 MHz) —
Veri Hızı 1600 Mbps/pin 1866 Mbps
Besleme Gerilimi 1.35V (1.283V to 1.45V) 1.5V
I/O Voltage 1.35V —
Paket 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) 96-ball FBGA
İşletim Sıcaklığı 0°C to 95°C (Tcase) —
Number of Banks 8 8
CAS Gecikme 11 (at 1600 Mbps) Programmable
Burst Length 8, 4 (with burst chop) 8 and 4 (with burst chop)
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Klorürsüz Yes Yes
Ball Pitch — 0.8mm
On-Die Termination — Yes
Temperature Range — 0°C to 95°C (case)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin