K6X0808C1D-GF70T00 vs K6X0808C1D-BF70T Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K6X0808C1D-GF70T00 tarafından Samsung Electro-Mechanics ve K6X0808C1D-BF70T tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 ✓ Aktif
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-BF70T
Marka Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
Kategori DRAM DRAM
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
Bellek Boyutu 256 Kbit 256 Kbit
Organizasyon 32K x 8 —
Access Time 70 ns 70 ns
Arayüz Parallel —
Technology CMOS —
Besleme Gerilimi 5 V —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Paket 28-SOP 28-SOP
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +85C (TA)
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Active Current [DATA_NEEDED: active current] —
I/O Type Common Data I/O, TTL compatible —
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Clock / Refresh Fully static, no clock or refresh required —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Packaging Tape & Reel (T00 suffix) —
Memory Organization — 32K x 8
Memory Interface — Parallel
Write Cycle Time - Word, Page — 70 ns
Voltage - Supply — 4.5 V to 5.5 V
Process Technology — CMOS
Address Bus Width — 15 bit (A0-A14)
Veri Bus Genişliği — 8 bit (I/O0-I/O7)
I/O Compatibility — TTL compatible
Refresh Requirement — None (fully static operation)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin