K6X0808C1D-GF70T00 vs K6X0808C1D-GF55T Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K6X0808C1D-GF70T00 tarafından Samsung Electro-Mechanics ve K6X0808C1D-GF55T tarafından Samsung Electro-MechanicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 ✓ Aktif
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-GF55T
Marka Samsung Electro-Mechanics Samsung Electro-Mechanics
Kategori DRAM DRAM
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
Bellek Boyutu 256 Kbit 256 Kbit
Organizasyon 32K x 8 32K x 8
Access Time 70 ns 55 ns
Arayüz Parallel Parallel
Technology CMOS —
Besleme Gerilimi 5 V 5.0 V
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Paket 28-SOP 28-SOP (450 mil)
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Active Current [DATA_NEEDED: active current] [DATA_NEEDED: active current]
I/O Type Common Data I/O, TTL compatible —
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Clock / Refresh Fully static, no clock or refresh required —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tape & Reel (T00 suffix) Tape & Reel (T suffix)
Process Technology — Full CMOS
Data Retention Voltage — Low data retention voltage supported (per datasheet)
Address Bus Width — 15 bit
Veri Bus Genişliği — 8 bit

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin