MT40A256M16LY-062E vs MT40A512M16LY-062E AAT:E Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT40A256M16LY-062E tarafından Micron Technology ve MT40A512M16LY-062E AAT:E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | MT40A256M16LY-062E | MT40A512M16LY-062E AAT:E |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 4 Gbit | 8 Gbit (1 GB) |
| Organizasyon | 256M x16 | — |
| Arayüz | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1.6 GHz |
| Access Time (tAA) | 19 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Data Rate Class | DDR4-2666 (062E speed grade) | DDR4-3200 (062E speed bin) |
| Paket | 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) | 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (IT variant) | -40C to +95C | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC (Command/Address) | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| FBGA Code | D9XSG (AUT variant) | — |
| RoHS Durumu | Compliant (F = RoHS/lead-free finish) | Compliant |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Access Time | — | 19 ns |
| Besleme Gerilimi | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | 062E |
| İşletim Sıcaklığı | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package max height] |
| MSL Rating | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Ordering Code Suffix | — | AAT:E (temperature/package option per Micron code) |
| Moisture Packaging | — | [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] |