NT5AD512M16C4-HR vs MT40A512M16TB-062E:J Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma NT5AD512M16C4-HR tarafından Nanya Technology ve MT40A512M16TB-062E:J tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-HR NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR ✓ Aktif
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:J MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre NT5AD512M16C4-HR MT40A512M16TB-062E:J
Marka Nanya Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
Organizasyon 512M x 16 —
Density 8 Gbit —
Besleme Gerilimi 1.2 V —
Veri Hızı 1.333 GHz (DDR4-2666) —
İşletim Sıcaklığı 0°C to +95°C —
Paket FBGA-96 (TFBGA) 96-FBGA (7.5x13.5 mm)
Pin Sayısı 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant —
Bellek Boyutu — 8Gbit (512M x 16)
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time — 19 ns
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Supply Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C
Internal Banks (x16) — 8 (2 groups of 4 banks each)
Prefetch Architecture — 8n-bit
İşletim Sıcaklığı Aralığı — 0°C to 95°C
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes
Montaj Türü — Surface Mount

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin