NT5AD512M16C4-HR vs MT40A512M16TB-062E:J موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NT5AD512M16C4-HR بذریعہ Nanya Technology اور MT40A512M16TB-062E:J بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-HR NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR ✓ فعال
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:J MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر NT5AD512M16C4-HR MT40A512M16TB-062E:J
برانڈ Nanya Technology Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
تنظیم 512M x 16 —
Density 8 Gbit —
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
ڈیٹا ریٹ 1.333 GHz (DDR4-2666) —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C to +95°C —
پیکیج FBGA-96 (TFBGA) 96-FBGA (7.5x13.5 mm)
پنز کی تعداد 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant —
میموری سائز — 8Gbit (512M x 16)
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time — 19 ns
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Supply Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C
Internal Banks (x16) — 8 (2 groups of 4 banks each)
Prefetch Architecture — 8n-bit
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — 0°C to 95°C
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں