ATSAMG55J19A-MUT vs ATSAMG55J19A-AU موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ATSAMG55J19A-MUT بذریعہ Microchip Technology اور ATSAMG55J19A-AU بذریعہ Microchip Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Microchip Technology
ATSAMG55J19A-MUT ATSAMG55J19A-MUT - 120MHz Cortex-M4 MCU 512KB Flash | Microchip

ATSAMG55J19A-MUT - 120MHz Cortex-M4 MCU 512KB Flash | Microchip

ATSAMG55J19A-MUT ✓ فعال
Microchip Technology
ATSAMG55J19A-AU ATSAMG55J19A-AU - 120MHz Cortex-M4 MCU 512KB Flash | Microchip

ATSAMG55J19A-AU - 120MHz Cortex-M4 MCU 512KB Flash | Microchip

ATSAMG55J19A-AU ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ATSAMG55J19A-MUT ATSAMG55J19A-AU
برانڈ Microchip Technology Microchip Technology
زمرہ Microcontrollers Microcontrollers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Core Processor ARM Cortex-M4 with FPU —
Core Architecture 32-bit RISC with DSP extensions ARM Cortex-M4 with FPU
Maximum Clock Speed 120 MHz —
Program Memory (Flash) 512 KB (512K x 8) —
RAM Size 176 KB —
Supply Voltage (VDDIO) 1.62 V to 3.6 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +85C (Industrial) -40 C to +85 C (industrial)
پیکیج 64-pin QFN (7.5 x 7.5 mm) 64-LQFP (10x10 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
I/O Count [DATA_NEEDED: I/O pin count] —
Communication Interfaces I2C, SPI, UART/USART, USB, I2S —
USB USB 2.0 High-Speed with on-chip PHY USB 2.0 Full-Speed device/host
ADC [DATA_NEEDED: ADC channels/resolution] 12-bit SAR
Package Type Code QFN EP T/R (Tape and Reel) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Core Clock Speed (max) — 120 MHz
Instruction Set — 32-bit RISC + DSP extensions + FPU (single-precision)
Program Flash Memory — 512 KB (512K x 8)
SRAM (Total) — 160 KB
Backup SRAM with Retention — 16 KB (retained in deep sleep)
Supply Voltage (VDDIO/VDDCORE) — 1.62 V to 3.6 V
Audio Interface — I2S with PDM/TDM and sample-rate converter
Communication Peripherals — USART/UART, SPI, TWI (I2C), I2S, HS USB
External Bus Interface (EBI) — Yes (for SRAM/SDRAM/NOR Flash expansion)
Active Power Consumption — Down to 100 uA/MHz
Deep Sleep Current — Below 7 uA with SRAM retention
Wake-up Time (deep sleep to first instruction) — Down to 3 us
Lifecycle / New Design Recommendation — Active (new designs: consider ATSAMG55J19B Revision B)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں