BSC014N04LSIATMA1 vs IRFR1018ETRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC014N04LSIATMA1 بذریعہ Infineon اور IRFR1018ETRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC014N04LSIATMA1 | IRFR1018ETRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) | HEXFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 31 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 96 W | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 2.5 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C | -55 °C to +175 °C |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) | TO-252AA (D-Pak) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Tradename | OptiMOS | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 79 A (Tc) |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | — | 8.4 mΩ |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 46 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss] |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | [DATA_NEEDED: Crss] |
| Maximum Power Dissipation (Pd) | — | 110 W (Tc) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |